Справочник IGBT. HGTG20N60C3DR

 

HGTG20N60C3DR Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTG20N60C3DR
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 164 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HGTG20N60C3DR

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTG20N60C3DR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  1
hgtg20n60c3dr.pdfpdf_icon

HGTG20N60C3DR

 2.1. Size:490K  1
hgtg20n60c3d.pdfpdf_icon

HGTG20N60C3DR

Другие IGBT... HGTG20N120CND , HGTG20N120E2 , HGTG20N60A4 , HGTG20N60A4D , HGTG20N60B3 , HGTG20N60B3D , HGTG20N60C3 , HGTG20N60C3D , IRGB20B60PD1 , HGTG20N60C3R , HGTG27N120BN , HGTG27N60C3DR , HGTG27N60C3R , HGTG30N120CN , HGTG30N60A4 , HGTG30N60A4D , HGTG30N60B3 .

History: 2M410B1 | CRGMF100T120FSA3

 

 
Back to Top

 


 
.