Справочник IGBT. MMG225WB120B6TN

 

MMG225WB120B6TN Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MMG225WB120B6TN
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1050 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MMG225WB120B6TN Datasheet (PDF)

 0.1. Size:403K  macmic
 mmg225wb120b6tn.pdf pdf_icon

MMG225WB120B6TN

MMG225WB120B6TN1200V 225A IGBT ModuleMay 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense includedAPPLICATIONS AC motor control Motion/servo c

 5.1. Size:286K  macmic
 mmg225wb170b6en.pdf pdf_icon

MMG225WB120B6TN

MMG225WB170B6EN1700V 225A IGBT ModuleMay 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(1700V Trench+Field Stop technology) Low turn-off losses, short tail current VCE(sat) with positive temperature coefficient DIODE CHIP(1700V EMCON 3 technology) Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense includedAPPLICATIONS

Другие IGBT... MMG150D170B6EN , MMG150SR120B , MMG100D120B6HN , MMG300D060B6EN , MMG150D120B6HN , MMG200D120B6TN , MMG200Q120B , MMG200Q120B6TN , IKW50N60H3 , MMG200Q120B6HN , MMG400HB060B6EN , MMG400Q060B6EN , MMG150DR120B , MMG150DR120DE , MMG150DR120UA , MMG150DR120UK , MMG150DR120UZA .

History: MMG400D120UA6TC | DAHF100G120SA | MMG75WD120XB6T4N

 

 
Back to Top

 


 
.