MMG225WB120B6TN - аналоги и описание IGBT

 

MMG225WB120B6TN - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MMG225WB120B6TN

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1050 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MMG225WB120B6TN

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MMG225WB120B6TN даташит

 0.1. Size:403K  macmic
 mmg225wb120b6tn.pdf pdf_icon

MMG225WB120B6TN

MMG225WB120B6TN 1200V 225A IGBT Module May 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense included APPLICATIONS AC motor control Motion/servo c

 5.1. Size:286K  macmic
 mmg225wb170b6en.pdf pdf_icon

MMG225WB120B6TN

MMG225WB170B6EN 1700V 225A IGBT Module May 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(1700V Trench+Field Stop technology) Low turn-off losses, short tail current VCE(sat) with positive temperature coefficient DIODE CHIP(1700V EMCON 3 technology) Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense included APPLICATIONS

Другие IGBT... MMG150D170B6EN , MMG150SR120B , MMG100D120B6HN , MMG300D060B6EN , MMG150D120B6HN , MMG200D120B6TN , MMG200Q120B , MMG200Q120B6TN , JT075N065WED , MMG200Q120B6HN , MMG400HB060B6EN , MMG400Q060B6EN , MMG150DR120B , MMG150DR120DE , MMG150DR120UA , MMG150DR120UK , MMG150DR120UZA .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.