MMG225WB170B6EN - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MMG225WB170B6EN
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2600 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MMG225WB170B6EN
MMG225WB170B6EN Datasheet (PDF)
mmg225wb170b6en.pdf
MMG225WB170B6EN1700V 225A IGBT ModuleMay 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(1700V Trench+Field Stop technology) Low turn-off losses, short tail current VCE(sat) with positive temperature coefficient DIODE CHIP(1700V EMCON 3 technology) Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense includedAPPLICATIONS
mmg225wb120b6tn.pdf
MMG225WB120B6TN1200V 225A IGBT ModuleMay 2015 Version 01 RoHS CompliantPRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense includedAPPLICATIONS AC motor control Motion/servo c
Другие IGBT... MMG75SR120UZA , MMG75SR120UZK , MMG200DR120B , MMG200DR120DE , MMG200DR120UA , MMG200DR120UK , MMG200DR120UZA , MMG200DR120UZK , IXGH60N60 , MMG300WB120B6TN , MMG400D060B6N , MMG400D060UK6N , MMG300D120B6TN , MMG300D120B6UN , MMG600WB060B6EN , MMG300D120B6HN , MMG300WB170B6EN .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2