Справочник IGBT. SKM200GAL123DKLD110

 

SKM200GAL123DKLD110 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM200GAL123DKLD110
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM200GAL123DKLD110

 

 

SKM200GAL123DKLD110 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:265K  macmic
 skm200gal123dkld110.pdf

SKM200GAL123DKLD110 SKM200GAL123DKLD110

SKM200GAL123DKLD110 1200V 200A RECTIFIER AND CHOPPER Module August 2011 PRELIMINARY RoHS Compliant FEATURES Ultra Low Loss High Ruggedness High Short Circuit Capability VCE(sat) With Positive Temperature Coefficient With Fast Free-Wheeling Diodes APPLICATIONS AC and DC motor control AC servo and robot drives Power supplies Welding in

 1.1. Size:635K  semikron
 skm200gal123d.pdf

SKM200GAL123DKLD110 SKM200GAL123DKLD110

 3.1. Size:415K  semikron
 skm200gal12t4.pdf

SKM200GAL123DKLD110 SKM200GAL123DKLD110

SKM200GAL12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 314 ATj = 175 CTc =80C 242 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GAL12T4Tc =80

 3.2. Size:664K  semikron
 skm200gal126d.pdf

SKM200GAL123DKLD110 SKM200GAL123DKLD110

 3.3. Size:414K  semikron
 skm200gal12e4.pdf

SKM200GAL123DKLD110 SKM200GAL123DKLD110

SKM200GAL12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 314 ATj = 175 CTc =80C 242 AICnom 200 AICRM ICRM = 3xICnom 600 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 229 ATj = 175 CSKM200GAL12E4Tc =80C 172

 3.4. Size:684K  semikron
 skm200gal125d.pdf

SKM200GAL123DKLD110 SKM200GAL123DKLD110

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top