IQAB75N60D1 - аналоги и описание IGBT

 

IQAB75N60D1 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IQAB75N60D1

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF

Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IQAB75N60D1

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQAB75N60D1 даташит

 ..1. Size:154K  iqxprz
 iqab75n60d1.pdf pdf_icon

IQAB75N60D1

IQAB75N60D1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-parallel diode, in TO-247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time - 5 s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable Parallel switching capabilit

 5.1. Size:229K  iqxprz
 iqab75n60a1.pdf pdf_icon

IQAB75N60D1

IQAB75N60A1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Trench & Field Stop technology in TO247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time - 5 s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Parallel switching capability Pb-free lead finish; RoHS comp

Другие IGBT... MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF , IKD10N60RF , IKD15N60RF , IQAB50N60D1 , IQAB75N60A1 , SGT40N60FD2PT , IQG1B150N120B4 , IQG1B228N120B4 , IQG1B300N120B4 , IQG1B456N120B4 , IQG1B600N120B4 , IQGB150N120GA4 , IQGB150N120GB4 , IQGB150N120I4 .

History: NGD18N40A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.