Справочник IGBT. IQAB75N60D1

 

IQAB75N60D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQAB75N60D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 470 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IQAB75N60D1

 

 

IQAB75N60D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  iqxprz
 iqab75n60d1.pdf

IQAB75N60D1 IQAB75N60D1

IQAB75N60D1PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-paralleldiode, in TO-247 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable Parallel switching capabilit

 5.1. Size:229K  iqxprz
 iqab75n60a1.pdf

IQAB75N60D1 IQAB75N60D1

IQAB75N60A1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Trench & Field Stop technology in TO247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Parallel switching capability Pb-free lead finish; RoHS comp

Другие IGBT... MMG450WB170B6EN , MMG400D170B6EN , IGW30N65L5 , IKD06N60-RF , IKD10N60RF , IKD15N60RF , IQAB50N60D1 , IQAB75N60A1 , IRGP4062D , IQG1B150N120B4 , IQG1B228N120B4 , IQG1B300N120B4 , IQG1B456N120B4 , IQG1B600N120B4 , IQGB150N120GA4 , IQGB150N120GB4 , IQGB150N120I4 .

 

 
Back to Top