Справочник IGBT. IQAB75N60D1

 

IQAB75N60D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQAB75N60D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 75
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 36
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 288
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IQAB75N60D1

 

 

IQAB75N60D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  iqxprz
 iqab75n60d1.pdf

IQAB75N60D1 IQAB75N60D1

IQAB75N60D1PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-paralleldiode, in TO-247 Package Very high switching speed Very low VCE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stable Parallel switching capabilit

 5.1. Size:229K  iqxprz
 iqab75n60a1.pdf

IQAB75N60D1 IQAB75N60D1

IQAB75N60A1 PRELIMINARY DATASHEET IGBT Trench & Field Stop technology in TO247 Package Very high switching speed Very low V CE(sat) Short circuit withstand time - 5s Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution High ruggedness, temperature stability Parallel switching capability Pb-free lead finish; RoHS comp

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top