Справочник IGBT. IQIB75N60A3

 

IQIB75N60A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQIB75N60A3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для IQIB75N60A3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQIB75N60A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  iqxprz
 iqib75n60a3.pdf pdf_icon

IQIB75N60A3

IQIB75N60A3PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop-technology in Isolated SOT227 Package Very high switching speed1 Very low VCE(sat Short circuit withstand time 5 us Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution3 High ruggedness, temperature stability- Parallel switching capability2, 4 Pb-free lead finish

 5.1. Size:170K  iqxprz
 iqib75n60d3.pdf pdf_icon

IQIB75N60A3

IQIB75N60D3PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-paralleldiode, in Isolated SOT227 Package1 High switching speed Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5 us Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution 3 High ruggedness, temperature stability2, 4- parallel switch

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IRG4BC30K | IXYR50N120C3D1 | STGP20M65DF2 | IKP20N60TA

 

 
Back to Top

 


 
.