Справочник IGBT. IQIB75N60D3

 

IQIB75N60D3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQIB75N60D3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF
   Тип корпуса: SOT227
 

 Аналог (замена) для IQIB75N60D3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQIB75N60D3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  iqxprz
 iqib75n60d3.pdf pdf_icon

IQIB75N60D3

IQIB75N60D3PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-paralleldiode, in Isolated SOT227 Package1 High switching speed Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5 us Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution 3 High ruggedness, temperature stability2, 4- parallel switch

 5.1. Size:230K  iqxprz
 iqib75n60a3.pdf pdf_icon

IQIB75N60D3

IQIB75N60A3PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop-technology in Isolated SOT227 Package Very high switching speed1 Very low VCE(sat Short circuit withstand time 5 us Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution3 High ruggedness, temperature stability- Parallel switching capability2, 4 Pb-free lead finish

Другие IGBT... IQGB300N120GA4 , IQGB300N120I4 , IQGB300N60I4 , IQGB400N60I4 , IQIB100N60A3 , IQIB100N60D3 , IQIB150N60B3 , IQIB75N60A3 , IRGP4063 , IQS1B100N60L4 , IQS2B57N120K4 , IQS2B75N120K4 , IXYN100N120B3H1 , IXYN100N120C3 , IXYN100N120C3H1 , IXYN100N65A3 , IXYN100N65B3D1 .

History: MG10Q6ES50A | MG1215H-XBN2MM | IXGT30N60C2D1

 

 
Back to Top

 


 
.