IQIB75N60D3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IQIB75N60D3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.7 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 288 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 470 nC
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для IQIB75N60D3
IQIB75N60D3 Datasheet (PDF)
iqib75n60d3.pdf
IQIB75N60D3PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop technology with soft, fast recovery anti-paralleldiode, in Isolated SOT227 Package1 High switching speed Low VCE(sat) Short circuit withstand time 5 us Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution 3 High ruggedness, temperature stability2, 4- parallel switch
iqib75n60a3.pdf
IQIB75N60A3PRELIMINARY DATASHEETIGBT in Trench & Field Stop-technology in Isolated SOT227 Package Very high switching speed1 Very low VCE(sat Short circuit withstand time 5 us Designed for frequency converters and UPS Very tight parameter distribution3 High ruggedness, temperature stability- Parallel switching capability2, 4 Pb-free lead finish
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2