Справочник IGBT. IQS2B57N120K4

 

IQS2B57N120K4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQS2B57N120K4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 57 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.87 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IQS2B57N120K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  iqxprz
 iqs2b57n120k4.pdf pdf_icon

IQS2B57N120K4

IQS2B57N120K4PRELIMINARY DATASHEET1200V, 57A 6-pack Bridge IGBT in SPT+ Technologywith Fast and Soft Recovery Anti-parallel Diode iniQpowermod1 Package Ultra low loss IGBT Smooth switching for good EMC Highly rugged SPT+ design Pb-free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS (per IGBT), T = 25oC unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollec

 9.1. Size:163K  iqxprz
 iqs2b75n120k4.pdf pdf_icon

IQS2B57N120K4

IQS2B75N120K4PRELIMINARY DATASHEET1200V, 75A 6-pack Bridge IGBT in SPT+ Technologywith Fast and Soft Recovery Anti-parallel Diode iniQpowermod1 Package Ultra low loss IGBT Smooth switching for good EMC Highly rugged SPT+ design Pb-free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS (per IGBT), at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCo

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | IXGH30N60B2 | APTGF25DDA120T3 | IXGH2N250 | BSM200GB60DLC | FB20R06W1E3_B11

 

 
Back to Top

 


 
.