IQS2B57N120K4 - аналоги и описание IGBT

 

IQS2B57N120K4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IQS2B57N120K4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 57 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.87 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для IQS2B57N120K4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQS2B57N120K4 даташит

 ..1. Size:145K  iqxprz
 iqs2b57n120k4.pdf pdf_icon

IQS2B57N120K4

IQS2B57N120K4 PRELIMINARY DATASHEET 1200V, 57A 6-pack Bridge IGBT in SPT+ Technology with Fast and Soft Recovery Anti-parallel Diode in iQpowermod 1 Package Ultra low loss IGBT Smooth switching for good EMC Highly rugged SPT+ design Pb-free finished; RoHS compliant MAXIMUM RATINGS (per IGBT), T = 25oC unless otherwise specified j Parameter Symbol Value Units Collec

 9.1. Size:163K  iqxprz
 iqs2b75n120k4.pdf pdf_icon

IQS2B57N120K4

IQS2B75N120K4 PRELIMINARY DATASHEET 1200V, 75A 6-pack Bridge IGBT in SPT+ Technology with Fast and Soft Recovery Anti-parallel Diode in iQpowermod 1 Package Ultra low loss IGBT Smooth switching for good EMC Highly rugged SPT+ design Pb-free finished; RoHS compliant MAXIMUM RATINGS (per IGBT), at T = 25oC, unless otherwise specified j Parameter Symbol Value Units Co

Другие IGBT... IQGB300N60I4 , IQGB400N60I4 , IQIB100N60A3 , IQIB100N60D3 , IQIB150N60B3 , IQIB75N60A3 , IQIB75N60D3 , IQS1B100N60L4 , CRG40T65AK5HD , IQS2B75N120K4 , IXYN100N120B3H1 , IXYN100N120C3 , IXYN100N120C3H1 , IXYN100N65A3 , IXYN100N65B3D1 , IXYN100N65C3H1 , IXYN120N120C3 .

History: IRG4BC30FD1

 

 

 


 
↑ Back to Top
.