Справочник IGBT. IQS2B75N120K4

 

IQS2B75N120K4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IQS2B75N120K4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 75 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для IQS2B75N120K4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IQS2B75N120K4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:163K  iqxprz
 iqs2b75n120k4.pdf pdf_icon

IQS2B75N120K4

IQS2B75N120K4PRELIMINARY DATASHEET1200V, 75A 6-pack Bridge IGBT in SPT+ Technologywith Fast and Soft Recovery Anti-parallel Diode iniQpowermod1 Package Ultra low loss IGBT Smooth switching for good EMC Highly rugged SPT+ design Pb-free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS (per IGBT), at T = 25oC, unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCo

 9.1. Size:145K  iqxprz
 iqs2b57n120k4.pdf pdf_icon

IQS2B75N120K4

IQS2B57N120K4PRELIMINARY DATASHEET1200V, 57A 6-pack Bridge IGBT in SPT+ Technologywith Fast and Soft Recovery Anti-parallel Diode iniQpowermod1 Package Ultra low loss IGBT Smooth switching for good EMC Highly rugged SPT+ design Pb-free finished; RoHS compliantMAXIMUM RATINGS (per IGBT), T = 25oC unless otherwise specifiedjParameter Symbol Value UnitsCollec

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IKD15N60RA | IXGF25N250 | IXGQ50N60B4D1

 

 
Back to Top

 


 
.