IXBH20N360HV - аналоги и описание IGBT

 

IXBH20N360HV - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXBH20N360HV

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 430 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 14 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Тип корпуса: TO247HV

 Аналог (замена) для IXBH20N360HV

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH20N360HV даташит

 ..1. Size:288K  ixys
 ixbh20n360hv.pdf pdf_icon

IXBH20N360HV

Advance Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3600V IXBT20N360HV BIMOSFETTM Monolithic IXBH20N360HV IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.4V TO-268HV (IXBT) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 3600 V E C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3600 V VGES Continuous 20 V TO-247HV (IXBH) VGEM

 6.1. Size:174K  ixys
 ixbh20n300.pdf pdf_icon

IXBH20N360HV

Preliminary Technical Information High Voltage, High Gain VCES = 3000V IXBH20N300 BIMOSFETTM Monolithic IXBT20N300 IC110 = 20A Bipolar MOS Transistor VCE(sat) 3.2V TO-247 (IXBH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 3000 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 3000 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V

 7.1. Size:60K  ixys
 ixbh20n160.pdf pdf_icon

IXBH20N360HV

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 20N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 20N160 IC25 = 20 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.7 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 20N140 20N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 140

 7.2. Size:62K  ixys
 ixbh20n140-160.pdf pdf_icon

IXBH20N360HV

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 20N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 20N160 IC25 = 20 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.7 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 20N140 20N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 140

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXBH10N300HV , IXBH14N300HV , IXBA10N300HV , IXBA12N300HV , IXBA14N300HV , IXBA16N170AHV , IXBH20N140 , IXBH20N160 , IRG7IC28U , IXBH22N300HV , IXBH40N140 , IXBH42N250 , IXBH42N300HV , IXBJ40N140 , IXBJ40N160 , IXBL20N300C , IXBL60N360 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.