IXGC16N60C2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGC16N60C2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Тип корпуса: ISOPLUS220
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGC16N60C2 Datasheet (PDF)
ixgc16n60c2.pdf

IXGC 16N60C2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60C2D1C2-Class High SpeedIC25 = 20 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 3.0 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 35 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
ixgc16n60c2d1.pdf

IXGC 16N60C2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60C2D1C2-Class High SpeedIC25 = 20 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 3.0 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 35 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
ixgc16n60b2d1.pdf

IXGC 16N60B2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60B2D1B2-Class High SpeedIC25 = 28 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 2.3 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 80 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
ixgc16n60b2.pdf

IXGC 16N60B2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60B2D1B2-Class High SpeedIC25 = 28 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 2.3 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 80 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: CM300DU-24F | ART30U120 | MG12100D-BA1MM | SMBL1G200US120 | JT600N120F2MH1E | MMG75SR120UZK | IRG4BC20UD-S
History: CM300DU-24F | ART30U120 | MG12100D-BA1MM | SMBL1G200US120 | JT600N120F2MH1E | MMG75SR120UZK | IRG4BC20UD-S



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
a733 | irf9630 | mj2955 | mje15030 | 2n3904 transistor | 2sd424 | 2sc828 | 2n4125