IXGC16N60C2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGC16N60C2
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 55 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 32 nC
Тип корпуса: ISOPLUS220
Аналог (замена) для IXGC16N60C2
IXGC16N60C2 Datasheet (PDF)
ixgc16n60c2.pdf
IXGC 16N60C2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60C2D1C2-Class High SpeedIC25 = 20 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 3.0 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 35 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
ixgc16n60c2d1.pdf
IXGC 16N60C2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60C2D1C2-Class High SpeedIC25 = 20 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 3.0 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 35 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
ixgc16n60b2d1.pdf
IXGC 16N60B2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60B2D1B2-Class High SpeedIC25 = 28 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 2.3 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 80 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
ixgc16n60b2.pdf
IXGC 16N60B2HiPerFASTTM IGBTVCES = 600 VIXGC 16N60B2D1B2-Class High SpeedIC25 = 28 AIGBT in ISOPLUS220TM CaseVCE(sat) = 2.3 VElectrically Isolated Back Surfacetfi(typ) = 80 nsPreliminary Data SheetD1Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 220TM (IXGC) E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 V
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2