IXXN200N60B3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXXN200N60B3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 940 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 280 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 570 pF
Тип корпуса: SOT227
Аналог (замена) для IXXN200N60B3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXXN200N60B3 даташит
ixxn200n60b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBT IXXN200N60B3 IC110 = 160A GenX3TM VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching E SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V
ixxn200n60b3h1.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBT IXXN200N60B3H1 IC110 = 98A GenX3TM w/Diode VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous
ixxn200n60c3h1.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBT IXXN200N60C3H1 IC110 = 98A GenX3TM w/ Sonic VCE(sat) 2.1V Diode tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through E IGBT for 20-60kHz Switching SOT-227B E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continu
Другие IGBT... IXGC16N60C2D1 , IXGQ170N30PB , IXGQ240N30PB , IXGQ85N33PCD1 , IXGQ90N27PB , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , TGAN20N135FD , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c1815 transistor datasheet | mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n



