Справочник IGBT. IXXH110N65C4

 

IXXH110N65C4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH110N65C4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 234 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.35 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 46 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 240 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 180 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IXXH110N65C4

 

 

IXXH110N65C4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  ixys
 ixxh110n65c4.pdf

IXXH110N65C4 IXXH110N65C4

Advance Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH110N65C4GenX4TM IC110 = 110A VCE(sat) 2.35V Extreme Light Punch Through tfi(typ) = 30nsIGBT for 20-60 kHz SwitchingSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-247 ADVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGC

 9.1. Size:171K  ixys
 ixxh100n60b3.pdf

IXXH110N65C4 IXXH110N65C4

Preliminary Technical InformationXPTTM 600V VCES = 600VIXXH100N60B3GenX3TM IC110 = 100A VCE(sat) 1.80V tfi(typ) = 150nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGC TabVGES Continuous 20 VEVGEM Transien

 9.2. Size:171K  ixys
 ixxh100n60c3.pdf

IXXH110N65C4 IXXH110N65C4

Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXH100N60C3IC110 = 100AGenX3TM VCE(sat) 2.20V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VGVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VC TabEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 3

 9.3. Size:231K  ixys
 ixxh150n60c3.pdf

IXXH110N65C4 IXXH110N65C4

Advance Technical InformationVCES = 600V600V XPTTM IGBT IXXH150N60C3IC110 = 150AGenX3TM VCE(sat) 2.5V tfi(typ) = 75nsExtreme Light Punch throughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VVGES Co

Другие IGBT... IXGQ85N33PCD1 , IXGQ90N27PB , IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , GT30F125 , IXXH150N60C3 , IXXH30N60B3 , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IXXH40N65B4H1 , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 .

 

 
Back to Top