Справочник IGBT. IXXH30N60B3

 

IXXH30N60B3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH30N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 137 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH30N60B3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  ixys
 ixxh30n60b3.pdf pdf_icon

IXXH30N60B3

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH30N60B3GenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient

 0.1. Size:189K  ixys
 ixxh30n60b3d1.pdf pdf_icon

IXXH30N60B3

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH30N60B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 30A VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM

 5.1. Size:190K  ixys
 ixxh30n60c3d1.pdf pdf_icon

IXXH30N60B3

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH30N60C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM

 5.2. Size:214K  ixys
 ixxh30n60c3.pdf pdf_icon

IXXH30N60B3

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH30N60C3GenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Cont

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXXN100N60B3H1 , IXXN110N65B4H1 , IXXN110N65C4H1 , IXXN200N60B3 , IXXN200N60B3H1 , IXXN200N60C3H1 , IXXH110N65C4 , IXXH150N60C3 , IRG4PC50UD , IXXH30N60C3 , IXXH30N65B4 , IXXH40N65B4 , IXXH40N65B4H1 , IXXH60N65B4 , IXXH60N65B4H1 , IXXH60N65C4 , IXGH10N60 .

History: 2MBI600NT-060 | APT20GF120KR | SKM75GAR063D | AFGHL40T65SPD | IXGC16N60C2 | IXYH24N90C3D1 | MM50G3U120BMX

 

 
Back to Top

 


 
.