Справочник IGBT. IXXH30N65B4

 

IXXH30N65B4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXXH30N65B4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 65 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 62 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 70 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

IXXH30N65B4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  ixys
 ixxh30n65b4.pdf pdf_icon

IXXH30N65B4

Preliminary Technical InformationXPTTM 650V IGBT VCES = 650VIXXH30N65B4GenX4TM IC110 = 30AC VCE(sat) 2.0V Gtfi(typ) = 57nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30kHz SwitchingETO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 650 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM

 6.1. Size:190K  ixys
 ixxh30n60c3d1.pdf pdf_icon

IXXH30N65B4

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH30N60C3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 30A VCE(sat) 2.2V tfi(typ) = 32nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM

 6.2. Size:170K  ixys
 ixxh30n60b3.pdf pdf_icon

IXXH30N65B4

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH30N60B3GenX3TM IC110 = 30A VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM Transient

 6.3. Size:189K  ixys
 ixxh30n60b3d1.pdf pdf_icon

IXXH30N65B4

Advance Technical InformationXPTTM 600V IGBT VCES = 600VIXXH30N60B3D1GenX3TM w/ Diode IC110 = 30A VCE(sat) 1.85V tfi(typ) = 125nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-247 ADSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VC TabEVGEM

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: RGTH40TS65 | HCKW75N65BH2 | SKM50GB12V | IXXH150N60C3 | MMG300D120B6TC | IRGIB15B60KD1P | MMG150D170B6TC

 

 
Back to Top

 


 
.