Справочник IGBT. HGTH12N50E1

 

HGTH12N50E1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HGTH12N50E1

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 4.5

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 50

Тип корпуса: TO218

Аналог (замена) для HGTH12N50E1

 

 

HGTH12N50E1 Datasheet (PDF)

7.1. hgth12n4.pdf Size:45K _harris_semi

HGTH12N50E1
HGTH12N50E1

HGTH12N40C1D, HGTH12N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTH12N50C1D, HGTH12N50E1D12A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-218AC 12A, 400V and 500V VCE(ON): 2.5V Max.EMITTER TFALL: 1s, 0.5s COLLECTORGATE Low On-State Voltage Fast Switching SpeedsCOLLECTOR High Input Impedance(FLANG

9.1. hgt1s10n120bn hgth10n120bn hgtp10n120bn.pdf Size:196K _fairchild_semi

HGTH12N50E1
HGTH12N50E1

HGTG10N120BN, HGTP10N120BN,HGT1S10N120BNSData Sheet August 200235A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT FeaturesThe HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and 35A, 1200V, TC = 25oCHGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT 1200V Switching SOA Capabilitydesigns. They are new members of the MOS gated high Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150oCvo

Другие IGBT... HGTG7N60A4 , HGTG7N60A4D , HGTH12N40C1 , HGTH12N40C1D , HGTH12N40E1 , HGTH12N40E1D , HGTH12N50C1 , HGTH12N50C1D , IRGP4086 , HGTH12N50E1D , HGTM12N40C1 , HGTM12N40E1 , HGTP10N120BN , HGTP10N40C1 , HGTP10N40C1D , HGTP10N40E1 , HGTP10N40E1D .

 

 
Back to Top