Справочник IGBT. IXYK100N65C3D1

 

IXYK100N65C3D1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXYK100N65C3D1
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 42 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 475 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 172 nC
   Тип корпуса: TO264

 Аналог (замена) для IXYK100N65C3D1

 

 

IXYK100N65C3D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  ixys
 ixyk100n65c3d1.pdf

IXYK100N65C3D1 IXYK100N65C3D1

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYK100N65C3D1IC110 = 100AGenX3TM w/ Diode IXYX100N65C3D1 VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 60nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXYK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 V GCVCGR TJ = 25C to

 4.1. Size:229K  ixys
 ixyk100n65b3d1.pdf

IXYK100N65C3D1 IXYK100N65C3D1

Advance Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXYK100N65B3D1IC110 = 100AGenX3TM w/ Diode IXYX100N65B3D1VCE(sat) 1.85Vtfi(typ) = 73nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXYK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 650 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M

 6.1. Size:428K  ixys
 ixyk100n120c3.pdf

IXYK100N65C3D1 IXYK100N65C3D1

N E W P R O D U C T B R I E FEfficiency Through Technology1200V XPT IGBTsExtreme-Light Punch-Through IGBTs for High-Speed Hard-Switching ApplicationsOctober 2012OVERVIEWTO-247IXYS Corporation expands its 1200V XPT IGBT product line. With current ratings of up to 220A, these new devices are designed to minimize switching losses in high-voltage, hard-switching applica-tion

 6.2. Size:289K  ixys
 ixyk100n120c3 ixyx100n120c3.pdf

IXYK100N65C3D1 IXYK100N65C3D1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYK100N120C3GenX3TM IC110 = 100AIXYX100N120C3 VCE(sat) 3.50V tfi(typ) = 110nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingTO-264 (IXYK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGCVCES TJ = 25C to 175C 1200 V ETabVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VVGES Continuous

 6.3. Size:205K  ixys
 ixyk100n120b3.pdf

IXYK100N65C3D1 IXYK100N65C3D1

Preliminary Technical Information1200V XPTTM IGBTs VCES = 1200VIXYK100N120B3GenX3TM IC110 = 100AIXYX100N120B3 VCE(sat) 2.6V tfi(typ) = 240nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingTO-264 (IXYK)GSymbol Test Conditions Maximum RatingsCEVCES TJ = 25C to 175C 1200 V TabVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 1200 VPLUS247 (IX

Другие IGBT... IXYH60N90C3 , IXYH75N65C3 , IXYH75N65C3D1 , IXYH75N65C3H1 , IXYH80N90C3 , IXYJ30N120C3D1 , IXYK100N120B3 , IXYK100N65B3D1 , GT30J122 , IXYK120N120B3 , IXYK140N90C3 , IXYL60N450 , IXYP10N65C3 , IXYP10N65C3D1 , IXYP10N65C3D1M , IXYP15N65C3 , IXYP15N65C3D1 .

 

 
Back to Top