IXXR110N60B4H1 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXXR110N60B4H1
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 48 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 440 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXXR110N60B4H1
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXXR110N60B4H1 даташит
ixxr110n60b4h1.pdf
Advance Technical Information XPTTM 600V VCES = 600V IXXR110N60B4H1 GenX4TM w/ Diode IC110 = 75A VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 27ns Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30kHz Switching ISOPLUS247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous
ixxr110n65b4h1.pdf
VCES = 650V XPTTM 650V GenX4TM IXXR110N65B4H1 IC110 = 70A w/ Sonic Diode VCE(sat) 2.20V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 85ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching ISOPLUS247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 650 V G C VGES Continuous 20 V Isolated Ta
ixxr100n60b3h1.pdf
Advance Technical Information XPTTM 600V VCES = 600V IXXR100N60B3H1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 68A VCE(sat) 1.80V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 150ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching ISOPLUS247TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous
Другие IGBT... IXYP15N65C3D1 , IXYP15N65C3D1M , IXGR72N60C3 , IXGT25N250HV , IXGT6N170AHV , IXGX50N60AU1S , IXXA30N65C3HV , IXXR100N60B3H1 , IHW40T60 , IXXR110N65B4H1 , IXYA15N65C3D1 , IXYA20N120C3HV , IXYA20N65B3 , IXYA20N65C3 , IXYA20N65C3D1 , IXYA50N65C3 , IXYF30N450 .
History: IXYK120N120B3
History: IXYK120N120B3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1775 | 2n1305 | 2sc5242 | irf540 equivalent | mp1620 transistor equivalent | 2sc945 transistor | c2073 transistor | ac176 transistor



