HIH30N60BP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HIH30N60BP  📄📄 

Тип транзистора: IGBT + Diode

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 143 pF

Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 104 nC

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HIH30N60BP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HIH30N60BP даташит

 ..1. Size:643K  semihow
 hih30n60bp.pdf pdf_icon

HIH30N60BP

Dec 2013 VCES = 600 V IC = 30 A HIH30N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V 600V PT IGBT TO-3P FEATURES Low VCE(sat) G Maximum Junction Temperature 150 C E Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behavior Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-

 8.1. Size:473K  semihow
 hih30n140ih-db.pdf pdf_icon

HIH30N60BP

Feb 2023 HIH30N140IH-DB 1400V N-Channel Trench Field Stop IGBT Features Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value Unit VCES 1400 V Extremely low switching loss IC 30 A Excellent stability and uniformity VCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltage Eoff 1.41 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175 Package & Internal Circuit Application TO-3PN SYMBOL

 8.2. Size:892K  semihow
 hih30n120tf.pdf pdf_icon

HIH30N60BP

Dec 2013 VCES = 1200 V IC = 30 A HIH30N120TF VCE(sat) typ = 2.0 V 1200V Field Stop Trench IGBT TO-3P FEATURES 1200V Field Stop Trench Technology G High Speed Switching C E Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel Operation Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 1200 V Collector Current Cont

Другие IGBT... RGTH80TS65, RGTH80TS65D, RJP4007ANS, HIA20N60BP, HIA30N60BP, HIH20N60BP, HIH25N120TN, HIH30N120TF, GT50JR22, HIL40N120TF, HIL40N120VF, APT100GN120JDQ4, APT100GT60JR, APT12GT60KRG, APT13GP120BDQ1G, APT150GN120JDQ4, APT150GT120JR