HIH30N60BP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HIH30N60BP
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 60 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 81 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 143 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 104 nC
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для HIH30N60BP
HIH30N60BP Datasheet (PDF)
hih30n60bp.pdf
Dec 2013VCES = 600 VIC = 30 AHIH30N60BP VCE(sat) typ = 2.2 V600V PT IGBTTO-3PFEATURES Low VCE(sat)G Maximum Junction Temperature 150 CE Short Circuit Withstand Time 5 Designed for Operation Between 1-20KHz Very tight Parameter Distribution High Ruggedness, Temperature stable behaviorAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value UnitsVCES Collector-
hih30n140ih-db.pdf
Feb 2023HIH30N140IH-DB1400V N-Channel Trench Field Stop IGBTFeatures Key Parameters Very Low VCE(sat) Parameter Value UnitVCES 1400 V Extremely low switching lossIC 30 A Excellent stability and uniformityVCE(sat) 1.50 V 1400V Breakdown voltageEoff 1.41 mJ Maximum Junction temperature, TJ(max)=175Package & Internal CircuitApplicationTO-3PN SYMBOL
hih30n120tf.pdf
Dec 2013VCES = 1200 VIC = 30 AHIH30N120TF VCE(sat) typ = 2.0 V1200V Field Stop Trench IGBTTO-3PFEATURES 1200V Field Stop Trench TechnologyG High Speed SwitchingCE Low Conduction Loss Positive Temperature Coefficient Easy Parallel OperationAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Value UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 1200 VCollector Current Cont
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2