SKM100GB12V - аналоги и описание IGBT

 

SKM100GB12V - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM100GB12V

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 159 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 590 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM100GB12V

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GB12V даташит

 ..1. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

SKM100GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 159 A Tj = 175 C Tc =80 C 121 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 121 A Tj = 175 C SKM100GB12V Tc =80 C 91 A IFnom 1

 4.1. Size:541K  semikron
 skm100gb124d.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

 4.2. Size:398K  semikron
 skm100gb12t4g.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

SKM100GB12T4G Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 154 A Tj = 175 C Tc =80 C 118 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 118 A Tj = 175 C SKM100GB12T4G Tc =80

 4.3. Size:554K  semikron
 skm100gb123d.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ART20U120 , ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , IKW30N60H3 , SKM100GB176D , SKM145GAL176D , SKM145GB066D , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 .

History: SKM150GAL12V

 

 

 


 
↑ Back to Top
.