Справочник IGBT. SKM100GB12V

 

SKM100GB12V Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM100GB12V
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 159 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 590 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM100GB12V

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GB12V Datasheet (PDF)

 ..1. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

SKM100GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 159 ATj = 175 CTc =80C 121 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12VTc =80C 91 AIFnom 1

 4.1. Size:541K  semikron
 skm100gb124d.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

 4.2. Size:398K  semikron
 skm100gb12t4g.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

SKM100GB12T4GAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES 1200 VIC Tc =25C 154 ATj = 175 CTc =80C 118 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 118 ATj = 175 CSKM100GB12T4GTc =80

 4.3. Size:554K  semikron
 skm100gb123d.pdf pdf_icon

SKM100GB12V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ART20U120 , ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , YGW40N65F1 , SKM100GB176D , SKM145GAL176D , SKM145GB066D , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 .

History: FGHL50T65MQDT

 

 
Back to Top

 


 
.