Справочник IGBT. SKM100GB176D

 

SKM100GB176D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM100GB176D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM100GB176D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GB176D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  semikron
 skm100gb176d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

 4.1. Size:556K  semikron
 skm100gb173d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

 5.1. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

SKM100GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 159 ATj = 175 CTc =80C 121 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12VTc =80C 91 AIFnom 1

 5.2. Size:541K  semikron
 skm100gb124d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V , TGD30N40P , SKM145GAL176D , SKM145GB066D , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 , SKM150GB12T4G .

 

 
Back to Top

 


 
.