Справочник IGBT. SKM100GB176D

 

SKM100GB176D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM100GB176D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM100GB176D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GB176D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:788K  semikron
 skm100gb176d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

 4.1. Size:556K  semikron
 skm100gb173d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

 5.1. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

SKM100GB12VAbsolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 159 ATj = 175 CTc =80C 121 AICnom 100 AICRM ICRM = 3xICnom 300 AVGES -20 ... 20 VVCC = 720 VSEMITRANS 2tpsc VGE 20 V Tj =125C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CInverse diodeIF Tc =25C 121 ATj = 175 CSKM100GB12VTc =80C 91 AIFnom 1

 5.2. Size:541K  semikron
 skm100gb124d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: APT30GN60KG | 1MBI200SA-120 | IXXN200N60B3H1 | GT30J122A | IXSX80N60B | SKM75GB123D | 1MBH20D-060

 

 
Back to Top

 


 
.