SKM100GB176D - аналоги и описание IGBT

 

SKM100GB176D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM100GB176D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 125 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 280 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM100GB176D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM100GB176D даташит

 ..1. Size:788K  semikron
 skm100gb176d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

 4.1. Size:556K  semikron
 skm100gb173d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

 5.1. Size:253K  semikron
 skm100gb12v.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

SKM100GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 159 A Tj = 175 C Tc =80 C 121 A ICnom 100 A ICRM ICRM = 3xICnom 300 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj =125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 121 A Tj = 175 C SKM100GB12V Tc =80 C 91 A IFnom 1

 5.2. Size:541K  semikron
 skm100gb124d.pdf pdf_icon

SKM100GB176D

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... ART30U120 , ART40U120 , ART45U120SPEC , AUIRGDC0250 , SKM100GAL12T4 , SKM100GB12T4 , SKM100GB12T4G , SKM100GB12V , CRG75T60AK3HD , SKM145GAL176D , SKM145GB066D , SKM145GB176D , SKM150GAL12T4 , SKM150GAL12V , SKM150GAR12T4 , SKM150GB12T4 , SKM150GB12T4G .

History: HIH30N60BP | HIH20N60BP

 

 

 


 
↑ Back to Top
.