Справочник IGBT. VS-100MT060WDF

 

VS-100MT060WDF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-100MT060WDF
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 121 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.98 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

VS-100MT060WDF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  vishay
 vs-100mt060wdf.pdf pdf_icon

VS-100MT060WDF

VS-100MT060WDFwww.vishay.comVishay SemiconductorsPrimary MTP IGBT Power ModuleFEATURES Buck PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Integrated thermistor Isolated baseplate Very low stray inductance design for high speed operation Designed and qualified for industrial level Material categorization: for definitions of compliance MTPple

 2.1. Size:238K  vishay
 vs-100mt060wsp.pdf pdf_icon

VS-100MT060WDF

VS-100MT060WSPwww.vishay.comVishay SemiconductorsMTP IGBT Power ModulePrimary Rectifier and PFCFEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplateMTP UL approved file E78996 (Package example) Designed and qu

Другие IGBT... T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , YGW60N65F1A2 , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF .

History: STGD6NC60H-1 | IXGC16N60C2 | MMG300Q060B6N | APT20GF120KR | AFGHL40T65SPD | MM50G3U120BMX | IXYH24N90C3D1

 

 
Back to Top

 


 
.