VS-100MT060WDF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-100MT060WDF
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 462 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 121 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.98 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 47 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 460 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-100MT060WDF
VS-100MT060WDF Datasheet (PDF)
vs-100mt060wdf.pdf

VS-100MT060WDFwww.vishay.comVishay SemiconductorsPrimary MTP IGBT Power ModuleFEATURES Buck PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Integrated thermistor Isolated baseplate Very low stray inductance design for high speed operation Designed and qualified for industrial level Material categorization: for definitions of compliance MTPple
vs-100mt060wsp.pdf

VS-100MT060WSPwww.vishay.comVishay SemiconductorsMTP IGBT Power ModulePrimary Rectifier and PFCFEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplateMTP UL approved file E78996 (Package example) Designed and qu
Другие IGBT... T1500TB25E , SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , HGTG30N60A4 , VS-100MT060WSP , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF .
History: VS-GT100TP60N | MMG600WB120B6E4N | 2SH31 | SM2G150US60 | VS-GA200TH60S | IRG4BC30K-S | VS-GT105LA120UX
History: VS-GT100TP60N | MMG600WB120B6E4N | 2SH31 | SM2G150US60 | VS-GA200TH60S | IRG4BC30K-S | VS-GT105LA120UX



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971