VS-100MT060WSP - аналоги и описание IGBT

 

VS-100MT060WSP - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: VS-100MT060WSP

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 107 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.14 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для VS-100MT060WSP

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-100MT060WSP даташит

 ..1. Size:238K  vishay
 vs-100mt060wsp.pdf pdf_icon

VS-100MT060WSP

VS-100MT060WSP www.vishay.com Vishay Semiconductors MTP IGBT Power Module Primary Rectifier and PFC FEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pt hyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplate MTP UL approved file E78996 (Package example) Designed and qu

 2.1. Size:186K  vishay
 vs-100mt060wdf.pdf pdf_icon

VS-100MT060WSP

VS-100MT060WDF www.vishay.com Vishay Semiconductors Primary MTP IGBT Power Module FEATURES Buck PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pt hyperfast diode Integrated thermistor Isolated baseplate Very low stray inductance design for high speed operation Designed and qualified for industrial level Material categorization for definitions of compliance MTP ple

Другие IGBT... SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , KGF75N65KDF , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.