Справочник IGBT. VS-100MT060WSP

 

VS-100MT060WSP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: VS-100MT060WSP
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 107 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.14 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для VS-100MT060WSP

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

VS-100MT060WSP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  vishay
 vs-100mt060wsp.pdf pdf_icon

VS-100MT060WSP

VS-100MT060WSPwww.vishay.comVishay SemiconductorsMTP IGBT Power ModulePrimary Rectifier and PFCFEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplateMTP UL approved file E78996 (Package example) Designed and qu

 2.1. Size:186K  vishay
 vs-100mt060wdf.pdf pdf_icon

VS-100MT060WSP

VS-100MT060WDFwww.vishay.comVishay SemiconductorsPrimary MTP IGBT Power ModuleFEATURES Buck PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Integrated thermistor Isolated baseplate Very low stray inductance design for high speed operation Designed and qualified for industrial level Material categorization: for definitions of compliance MTPple

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: SKM200GAR123D | IXSH20N60U1

 

 
Back to Top

 


 
.