VS-100MT060WSP - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-100MT060WSP
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 403 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 107 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.14 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 52 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 780 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-100MT060WSP
VS-100MT060WSP Datasheet (PDF)
vs-100mt060wsp.pdf
VS-100MT060WSPwww.vishay.comVishay SemiconductorsMTP IGBT Power ModulePrimary Rectifier and PFCFEATURES Input rectifier bridge PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Very low stray inductance design for high speed operation Integrated thermistor Isolated baseplateMTP UL approved file E78996 (Package example) Designed and qu
vs-100mt060wdf.pdf
VS-100MT060WDFwww.vishay.comVishay SemiconductorsPrimary MTP IGBT Power ModuleFEATURES Buck PFC stage with warp 2 IGBT and FRED Pthyperfast diode Integrated thermistor Isolated baseplate Very low stray inductance design for high speed operation Designed and qualified for industrial level Material categorization: for definitions of compliance MTPple
Другие IGBT... SKM75GAR063D , SKM75GB12T4 , SKM75GB12V , SKM75GB176D , SKM800GA126D , SKM800GA176D , SKM900GA12E4 , VS-100MT060WDF , YGW75N65F1 , VS-150MT060WDF , VS-20MT120UFAPBF , VS-20MT120UFP , VS-25MT060WFAPBF , VS-40MT120UHAPBF , VS-40MT120UHTAPBF , VS-50MT060WHTAPBF , VS-70MT060WHTAPBF .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2