Справочник IGBT. DM2G400SH6N

 

DM2G400SH6N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DM2G400SH6N
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DM2G400SH6N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:292K  dawin
dm2g400sh6n.pdfpdf_icon

DM2G400SH6N

DM2G400SH6NJan. 2012High Power Rugged Type IGBT ModuleDescription Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drivesand other applications where switching losses ar

 4.1. Size:708K  dawin
dm2g400sh6a.pdfpdf_icon

DM2G400SH6N

DM2G400SH6AAug. 2009High Power NPT & Rugged Type IGBT ModuleDescription Equivalent Circuit and Package DAWINS IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drivesand other applications where switching los

Другие IGBT... DM2G200SH12A , DM2G200SH12AE , DM2G200SH6A , DM2G200SH6N , DM2G300SH12A , DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , CRG40T60AN3H , HYG15P120A1K1 , HYG15P120A1K2 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S .

History: BLG60T65FUL-K | BLG40T120FUH-F | MMG150S120B6TN | APTGF25X120E2 | APTLGF210U120T | GT80J101 | SGT20T60SD1T

 

 
Back to Top

 


 
.