DM2G400SH6N - аналоги и описание IGBT

 

DM2G400SH6N - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: DM2G400SH6N

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 220 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DM2G400SH6N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DM2G400SH6N даташит

 ..1. Size:292K  dawin
dm2g400sh6n.pdfpdf_icon

DM2G400SH6N

DM2G400SH6N Jan. 2012 High Power Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and other applications where switching losses ar

 4.1. Size:708K  dawin
dm2g400sh6a.pdfpdf_icon

DM2G400SH6N

DM2G400SH6A Aug. 2009 High Power NPT & Rugged Type IGBT Module Description Equivalent Circuit and Package DAWIN S IGBT 7DM-3 Package devices are optimized to reduce losses Equivalent Circuit and switching noise in high frequency power conditioning electrical systems. These IGBT modules are ideally suited for power inverters, motors drives and other applications where switching los

Другие IGBT... DM2G200SH12A , DM2G200SH12AE , DM2G200SH6A , DM2G200SH6N , DM2G300SH12A , DM2G300SH6A , DM2G300SH6NE , DM2G400SH6A , CRG40T60AN3H , HYG15P120A1K1 , HYG15P120A1K2 , HYG15P120B1K1 , HYG15P120H1K1 , HYG30P120H1K1 , HYG40P120H1S , HYG75B120C1S , HYG75P120D1S .

History: SG15N12DP

 

 

 


 
↑ Back to Top
.