Справочник IGBT. CY25AAJ-8F

 

CY25AAJ-8F - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: CY25AAJ-8F
   Тип транзистора: IGBT + Built-in Zener Diodes
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(PULSE) A @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 1.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для CY25AAJ-8F

 

 

CY25AAJ-8F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  renesas
 cy25aaj-8f.pdf

CY25AAJ-8F CY25AAJ-8F

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 5.1. Size:38K  mitsubishi
 cy25aaj-8.pdf

CY25AAJ-8F CY25AAJ-8F

MITSUBISHI IGBTMITSUBISHI IGBTCY25AAJ-8CY25AAJ-8Nch IGBT for STROBE FLASHERNch IGBT for STROBE FLASHERCY25AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX.5.00.41.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............

Другие IGBT... DM2G150SH6A , DM2G50SH12A , DM2G50SH6A , DM2G50SH6N , DM2G75SH12A , DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , SGT50T65FD1PT , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 .

 

 
Back to Top