CY25AAJ-8F - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: CY25AAJ-8F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(PULSE) A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для CY25AAJ-8F
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
CY25AAJ-8F даташит
cy25aaj-8f.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
cy25aaj-8.pdf
MITSUBISHI IGBT MITSUBISHI IGBT CY25AAJ-8 CY25AAJ-8 Nch IGBT for STROBE FLASHER Nch IGBT for STROBE FLASHER CY25AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX. 5.0 0.4 1.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............
Другие IGBT... DM2G150SH6A , DM2G50SH12A , DM2G50SH6A , DM2G50SH6N , DM2G75SH12A , DM2G75SH6A , DM2G75SH6N , CY20AAJ-8H , GT30J127 , SHD724401 , SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555


