CY25AAJ-8F Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CY25AAJ-8F
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 6 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150(PULSE) A @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Тип корпуса: SOP-8
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CY25AAJ-8F Datasheet (PDF)
cy25aaj-8f.pdf

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
cy25aaj-8.pdf

MITSUBISHI IGBTMITSUBISHI IGBTCY25AAJ-8CY25AAJ-8Nch IGBT for STROBE FLASHERNch IGBT for STROBE FLASHERCY25AAJ-8 OUTLINE DRAWING Dimensions in mm 1.8 MAX.5.00.41.27 EMITTER GATE COLLECTOR VCES ............................................................................... 400V ICM ...............
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: STGP10NB60S
History: STGP10NB60S



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555