VS-GB100LP120N - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-GB100LP120N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 658 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 38 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 520 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GB100LP120N
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-GB100LP120N даташит
vs-gb100lp120n.pdf
VS-GB100LP120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, Chopper in 1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FW
vs-gb100lh120n.pdf
VS-GB100LH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, Chopper in1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD
vs-gb100th120u.pdf
VS-GB100TH120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES NPT IGBT technology 10 s short circuit capability Low switching losses Rugged with ultrafast performance VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Double INT-A-P
vs-gb100th120n.pdf
VS-GB100TH120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2-in-1 Package, 1200 V and 100 A FEATURES Low VCE(on) SPT + IGBT technology 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper base
Другие IGBT... SHD724402 , SHD724502 , SHD724602 , SHD739601 , SHDG1025 , SHSMG1009 , SHSMG1010 , VS-GB100LH120N , FGA60N65SMD , VS-GB100NH120N , VS-GB100TH120N , VS-GB100TH120U , VS-GB100TP120N , VS-GB100TP120U , VS-GB100TS60NPBF , VS-GB150LH120N , VS-GB150TH120N .
History: SIG20N60P1A | SRE100N065FSU2D6 | XD075H065CX1S3 | TGAN40N135FD | SPT25N120T1T8TL | RJH60D5DPK | SGW5N60RUFD
History: SIG20N60P1A | SRE100N065FSU2D6 | XD075H065CX1S3 | TGAN40N135FD | SPT25N120T1T8TL | RJH60D5DPK | SGW5N60RUFD
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet








