VS-GB50TP120N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-GB50TP120N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 446 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 74 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 300 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
VS-GB50TP120N Datasheet (PDF)
vs-gb50tp120n.pdf

VS-GB50TP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,2 in 1 Package, 1200 V, 50 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Maximum junction temperature 150 C Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isol
vs-gb50yf120n.pdf

VS-GB50YF120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsIGBT Fourpack Module, 50 AFEATURES Square RBSOA HEXFRED low Qrr, low switching energy Positive VCE(on) temperature coefficient Copper baseplate Low stray inductance design Designed and qualified for industrial market UL approved file E78996 ECONO2 4PACK Material categorization: for definitions of
vs-gb50lp120n.pdf

VS-GB50LP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT, Chopper in 1 Package, 1200 V and 50 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct Copper Bonding) technology VCE(on) w
vs-gb50la120ux.pdf

VS-GB50LA120UXwww.vishay.comVishay SemiconductorsLow Side Chopper IGBT SOT-227 (Ultrafast IGBT), 50 AFEATURES NPT Gen 5 IGBT technology Square RBSOA HEXFRED clamping diode Positive VCE(on) temperature coefficient Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5 nH typical) Industry standard outline UL approved file E78
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4
History: APTGT75SK120D1 | APTGT600U170D4



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
nte102a | tip31cg | s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404