VS-GB75TP120N - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: VS-GB75TP120N
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 543 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 67 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GB75TP120N
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
VS-GB75TP120N даташит
vs-gb75tp120n.pdf
VS-GB75TP120N www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT 2-in 1-Package, 1200 V, 75 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x I 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct Cop
vs-gb75tp120u.pdf
VS-GB75TP120U www.vishay.com Vishay Semiconductors Molding Type Module IGBT, 2 in 1 Package, 1200 V, 75 A FEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Rugged with ultrafast performance Square RBSOA Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparalle
vs-gb75yf120n.pdf
VS-GB75YF120N www.vishay.com Vishay Semiconductors IGBT Fourpack Module, 75 A FEATURES Square RBSOA HEXFRED low Qrr, low switching energy Positive VCE(on) temperature coefficient Copper baseplate Low stray inductance design Designed and qualified for industrial market UL approved file E78996 ECONO2 4PACK Material categorization for definitions of
vs-gb75na60uf.pdf
VS-GB75NA60UF www.vishay.com Vishay Semiconductors "High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 A FEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient Higher switching frequency up to 150 kHz Square RBSOA Low VCE(on) FRED Pt hyperfast rectifier Fully isolated package SOT-227 Very low internal inductance ( 5
Другие IGBT... VS-GB50TP120N , VS-GB50YF120N , VS-GB55LA120UX , VS-GB55NA120UX , VS-GB600AH120N , VS-GB75LA60UF , VS-GB75LP120N , VS-GB75NA60UF , TGAN60N60F2DS , VS-GB75TP120U , VS-GB75YF120N , VS-GB75YF120UT , VS-GB90DA120U , VS-GB90DA60U , VS-GB90SA120U , VS-GP100TS60SFPBF , VS-GP250SA60S .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679







