VS-GB75TP120U Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: VS-GB75TP120U
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 400 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для VS-GB75TP120U
VS-GB75TP120U Datasheet (PDF)
vs-gb75tp120u.pdf

VS-GB75TP120Uwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT,2 in 1 Package, 1200 V, 75 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x IC 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Rugged with ultrafast performance Square RBSOA Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparalle
vs-gb75tp120n.pdf

VS-GB75TP120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsMolding Type Module IGBT 2-in 1-Package, 1200 V, 75 AFEATURES High short circuit capability, self limiting to 6 x I 10 s short circuit capability VCE(on) with positive temperature coefficient Low inductance case Fast and soft reverse recovery antiparallel FWD Isolated copper baseplate using DCB (Direct Cop
vs-gb75yf120n.pdf

VS-GB75YF120Nwww.vishay.comVishay SemiconductorsIGBT Fourpack Module, 75 AFEATURES Square RBSOA HEXFRED low Qrr, low switching energy Positive VCE(on) temperature coefficient Copper baseplate Low stray inductance design Designed and qualified for industrial market UL approved file E78996 ECONO2 4PACK Material categorization: for definitions of
vs-gb75na60uf.pdf

VS-GB75NA60UFwww.vishay.comVishay Semiconductors"High Side Chopper" IGBT SOT-227 (Warp 2 Speed IGBT), 70 AFEATURES NPT warp 2 speed IGBT technology with positive temperature coefficient Higher switching frequency up to 150 kHz Square RBSOA Low VCE(on) FRED Pt hyperfast rectifier Fully isolated packageSOT-227 Very low internal inductance ( 5
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , CRG60T60AN3H , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: IKD15N60RA | IXGQ50N60B4D1
History: IKD15N60RA | IXGQ50N60B4D1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181