F3L100R12W2H3_B11 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: F3L100R12W2H3_B11
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для F3L100R12W2H3_B11
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
F3L100R12W2H3_B11 даташит
f3l100r12w2h3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK 2 and PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200V CES I = 50A
f3l100r12w2h3-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Modul F3L100R12W2H3_B11 IGBT-Module EasyPACK Modul mit aktiver "Neutral Point Clamp 2" Topologie und PressFIT / NTC EasyPACK module with active "Neutral Point Clamp 2" topology and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-
f3l100r07w2e3 b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L100R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 100A / I = 200A C nom CRM Typische Anwendungen Typic
f3l100r07w2e3-b11.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module F3L100R07W2E3_B11 IGBT-modules EasyPACK Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 650V CES I = 100A / I = 200A C nom CRM Typische Anwendungen Typic
Другие IGBT... VS-GP300TD60S , VS-GP400TD60S , VS-ENQ030L120S , VS-ETF075Y60U , VS-ETL015Y120H , F12-25R12KT4G , F12-35R12KT4G , F3L100R07W2E3_B11 , GT60N321 , F3L150R07W2E3_B11 , F3L150R12W2H3_B11 , F3L15R12W2H3_B27 , F3L200R07PE4 , F3L200R12W2H3_B11 , F3L300R12ME4_B22 , F3L300R12ME4_B23 , F3L300R12MT4_B22 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210




