HCKW60N65BH2A - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: HCKW60N65BH2A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Маркировка: K60H65B2A
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 136 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 252 nC
Тип корпуса: TO247
Аналог (замена) для HCKW60N65BH2A
HCKW60N65BH2A Datasheet (PDF)
hckw60n65bh2a.pdf
HCKW60N65BH2A@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKW60N65BH2A is a 650V60A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS techno
hckw60n65ch2a.pdf
HCKW60N65CH2A@CoolWatt IGBTHCKW60N65CH2A is a 650V60A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technology L
Другие IGBT... 1MBH15D-120 , 1MBH20D-060 , 1MBH25-120 , 1MBH25D-120 , 1MBH30D-060 , 1MBH50-060 , 1MBH50D-060 , HCKW40N65H2 , CRG15T120BNR3S , HCKW60N65CH2A , HCKW75N65BH2 , HCKW75N65FH2 , 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2