HCKW60N65BH2A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: HCKW60N65BH2A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.65 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 136 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 190 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для HCKW60N65BH2A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKW60N65BH2A даташит

 ..1. Size:1383K  cn vgsemi
 hckw60n65bh2a.pdf pdf_icon

HCKW60N65BH2A

HCKW60N65BH2A @ Trench-FS Cool-Watt IGBT HCKW60N65BH2A is a 650V60A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of low V , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with cesat high switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS techno

 5.1. Size:5624K  cn vgsemi
 hckw60n65ch2a.pdf pdf_icon

HCKW60N65BH2A

HCKW60N65CH2A @ CoolWatt IGBT HCKW60N65CH2A is a 650V60A IGBT discrete with high speed soft switching of Trench Field stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of low V , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products with cesat high switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technology L

Другие IGBT... 1MBH15D-120, 1MBH20D-060, 1MBH25-120, 1MBH25D-120, 1MBH30D-060, 1MBH50-060, 1MBH50D-060, HCKW40N65H2, FGPF4633, HCKW60N65CH2A, HCKW75N65BH2, HCKW75N65FH2, 2N6975, 2N6976, 2N6977, 2N6978, 2PG352