Справочник IGBT. HGTP3N60C3D

 

HGTP3N60C3D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HGTP3N60C3D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 33

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 5

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HGTP3N60C3D

 

 

HGTP3N60C3D Datasheet (PDF)

6.1. hgtp3n60.pdf Size:390K _harris_semi

HGTP3N60C3D
HGTP3N60C3D

HGTP3N60C3D, HGT1S3N60C3D,S E M I C O N D U C T O RHGT1S3N60C3DS6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTwith Anti-Parallel Hyperfast DiodeMay 1996Features PackagingJEDEC TO-220AB 6A, 600V at TC = +25oCEMITTERCOLLECTOR 600V Switching SOA CapabilityGATE Typical Fall Time - 130ns at TJ = +150oCCOLLECTOR (FLANGE) Short Circuit Rating Low Conduction Loss

Другие IGBT... HGTP2N120BND , HGTP2N120CN , HGTP2N120CND , HGTP3N60A4 , HGTP3N60A4D , HGTP3N60B3 , HGTP3N60B3D , HGTP3N60C3 , G7N60C , HGTP5N120BN , HGTP5N120BND , HGTP5N120CN , HGTP5N120CND , HGTP6N40E1D , HGTP6N50E1D , HGTP7N60A4 , HGTP7N60A4D .

 

 
Back to Top