Справочник IGBT. HCKW60N65CH2A

 

HCKW60N65CH2A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HCKW60N65CH2A
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 120 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 136 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 199 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для HCKW60N65CH2A

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HCKW60N65CH2A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5624K  cn vgsemi
 hckw60n65ch2a.pdf pdf_icon

HCKW60N65CH2A

HCKW60N65CH2A@CoolWatt IGBTHCKW60N65CH2A is a 650V60A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS technology L

 5.1. Size:1383K  cn vgsemi
 hckw60n65bh2a.pdf pdf_icon

HCKW60N65CH2A

HCKW60N65BH2A@Trench-FS Cool-Watt IGBTHCKW60N65BH2A is a 650V60A IGBT discrete with high speed soft switching of TrenchField stop technology.The product with a anti-parallel diode,has the characteristics of lowV , high junction temperature and strong robustness. It is very suitable for products withcesathigh switching frequency. Features CoolWatt@ Trench-FS techno

Другие IGBT... 1MBH20D-060 , 1MBH25-120 , 1MBH25D-120 , 1MBH30D-060 , 1MBH50-060 , 1MBH50D-060 , HCKW40N65H2 , HCKW60N65BH2A , SGH80N60UFD , HCKW75N65BH2 , HCKW75N65FH2 , 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 .

History: SGT40N60FD2PN

 

 
Back to Top

 


 
.