BSM100GB170DN2 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: BSM100GB170DN2
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.4 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1300 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для BSM100GB170DN2
BSM100GB170DN2 Datasheet (PDF)
bsm100gb170dn2.pdf
BSM 100 GB 170 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate RG on,min = 15 OhmType VCE IC Package Ordering CodeBSM 100 GB 170 DN2 1700V 145A HALF-BRIDGE 2 C67070-A2703-A67Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1700 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1700
bsm100gb170dlc.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 100 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungVCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 100 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 200 APeriodischer Kollektor Spitzens
bsm100gb120dlc.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM100GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro
bsm100gb120dn2.pdf
BSM 100 GB 120 DN2IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 100 GB 120 DN2 1200V 150A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2107-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage VGE
bsm100gb120dlck.pdf
Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM100GB120DLCKIGBT-modulesIGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 100 ADC-collector current T = 25C, T = 150C I 205 APeriodischer Kollektor Spitzen
bsm100gb120dn2k.pdf
BSM 100 GB 120 DN2KIGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 100 GB 120 DN2K 1200V 145A HALF-BRIDGE 1 C67070-A2107-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE = 20 k 1200Gate-emitter voltage V
Другие IGBT... FF150R17KE4 , BSM100GAL120DN2 , BSM100GAR120DN2 , BSM100GB120DLC , BSM100GB120DLCK , BSM100GB120DN2 , BSM100GB120DN2K , BSM100GB170DLC , GT50JR22 , BSM100GB60DLC , BSM100GD60DLC , BSM50GAL100D , BSM50GB100D , BSM50GB120DLC , BSM50GB120DN2 , BSM50GB170DN2 , BSM50GB60DLC .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2