MMIX1X200N60B3 - аналоги и описание IGBT

 

MMIX1X200N60B3 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MMIX1X200N60B3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 223 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 570 pF
   Тип корпуса: PLASTIC-24PIN
 

 Аналог (замена) для MMIX1X200N60B3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры MMIX1X200N60B3

 ..1. Size:233K  ixys
 mmix1x200n60b3.pdf pdf_icon

MMIX1X200N60B3

Preliminary Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBT MMIX1X200N60B3 IC110 = 120A GenX3TM VCE(sat) 1.7V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 110ns Extreme Light Punch Through C IGBT for 10-30kHz Switching G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 2

 0.1. Size:243K  ixys
 mmix1x200n60b3h1.pdf pdf_icon

MMIX1X200N60B3

Preliminary Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IGBT MMIX1X200N60B3H1 IC110 = 72A GenX3TM w/Diode VCE(sat) 1.7V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 110ns Extreme Light Punch Through C IGBT for 10-30kHz Switching G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Conti

 8.1. Size:241K  ixys
 mmix1x340n65b4.pdf pdf_icon

MMIX1X200N60B3

Advance Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT MMIX1X340N65B4 IC90 = 295A GenX4TM VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching C G E Maximum Ratings ymbol Test Conditions VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE =

 8.2. Size:299K  ixys
 mmix1x100n60b3h1.pdf pdf_icon

MMIX1X200N60B3

Preliminary Technical Information XPTTM 600V VCES = 600V MMIX1X100N60B3H1 GenX3TM w/ Diode IC90 = 60A VCE(sat) 1.80V (Electrically Isolated Tab) C Medium-Speed Low-Vsat PT IGBT for 10-30 kHz Switching G Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V Isolated Tab VGES Continuous 20 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 , CRG15T120BNR3S , MMIX1X200N60B3H1 , MMIX1X340N65B4 , MMIX1Y100N120C3H1 , MMIX1Y82N120C3H1 , MMIX2S50N60B4D1 , MMIX4B22N300 , SIGC03T60E , SIGC03T60SE .

 

 
Back to Top

 


 
.