IGC70T120T6RL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IGC70T120T6RL  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 290 pF

Тип корпуса: CHIP

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IGC70T120T6RL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IGC70T120T6RL даташит

 ..1. Size:70K  infineon
 igc70t120t6rl.pdf pdf_icon

IGC70T120T6RL

IGC70T120T6RL IGBT4 Low Power Chip FEATURES 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses low / medium power modules positive temperature coefficient easy paralleling Applications G low / medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC70T120T6RL 1200V 75A 9.12 x 7.71 mm2 sawn on foil MECHANICA

 2.1. Size:70K  infineon
 igc70t120t6rm.pdf pdf_icon

IGC70T120T6RL

IGC70T120T6RM IGBT4 Medium Power Chip FEATURES 1200V Trench + Field Stop technology This chip is used for C low switching losses medium power modules soft turn off positive temperature coefficient Applications easy paralleling G medium power drives E Chip Type VCE ICn Die Size Package IGC70T120T6RM 1200V 75A 9.12 x 7.71 mm2 sawn on foil

 4.1. Size:70K  infineon
 igc70t120t8rl.pdf pdf_icon

IGC70T120T6RL

IGC70T120T8RL IGBT4 Low Power Chip Features Recommended for 1200V Trench & Field stop technology low / medium power modules C low switching losses positive temperature coefficient Applications easy paralleling low / medium power drives Qualified according to JEDEC for target G applications E Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC70T120T8RL 1200V 75

 4.2. Size:71K  infineon
 igc70t120t8rm.pdf pdf_icon

IGC70T120T6RL

IGC70T120T8RM IGBT4 Medium Power Chip Features Recommended for 1200V Trench + Field stop technology medium power modules C low switching losses soft turn off Applications positive temperature coefficient medium power drives easy paralleling G Qualified according to JEDEC for target E applications Chip Type VCE ICn1 ) Die Size Package IGC70T120T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SIGC04T60, SIGC04T60E, SIGC04T60G, SIGC04T60GE, SIGC04T60GS, SIGC04T60GSE, SIGC04T65E, SIGC05T60SNC, YGP20N65T2, IRGC100B120KB, IRGC100B120UB, IRGC100B60KB, IRGC100B60UB, IRGC15B120KB, IRGC15B120UB, IRGC16B120KB, IRGC16B60KB