GT50JR22 datasheet, аналоги, основные параметры

GT50JR22 - это высокопроизводительный N-канальный IGBT-модуль, предназначенный для применения в силовой электронике. Он отличается низким падением напряжения во включенном состоянии и возможностью быстрого переключения, что делает его подходящим для инверторов, электроприводов и преобразователей мощности. Благодаря напряжению коллектор-эмиттер до 600В и постоянному току коллектора до 50А он обеспечивает надежную работу в условиях высокой нагрузки. Его прочная конструкция обеспечивает высокую термическую стабильность и защиту от короткого замыкания, оптимизируя эффективность и долговечность в требовательных промышленных и автомобильных системах.

Наименование: GT50JR22  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS

Тип корпуса: TO-3PN

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для GT50JR22

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

GT50JR22 даташит

 ..1. Size:202K  toshiba
 gt50jr22.pdf pdf_icon

GT50JR22

GT50JR22 Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT50JR22 GT50JR22 GT50JR22 GT50JR22 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Dedicated to Current-Resonant Inverter Switching Applications Note The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 6.5th generation (2) The RC-IGB

 9.1. Size:226K  toshiba
 gt50j328.pdf pdf_icon

GT50JR22

GT50J328 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50J328 Current Resonance Inverter Switching Application Unit mm Fourth Generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.1 s (Typ.) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.0 V (Typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-emitter volt

 9.2. Size:439K  toshiba
 gt50j301.pdf pdf_icon

GT50JR22

GT50J301 TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT GT50J301 HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS Unit mm MOTOR CONTROL APPLICATIONS Third generation IGBT Enhancement mode type High speed tf = 0.30 s (Max.) Low saturation voltage VCE (sat) = 2.7V (Max.) FRD included between emitter and collector ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHA

 9.3. Size:198K  toshiba
 gt50j325.pdf pdf_icon

GT50JR22

GT50J325 TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT GT50J325 High Power Switching Applications Unit mm Fast Switching Applications Fourth generation IGBT Enhancement mode type Fast switching (FS) Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed tf = 0.05 s (typ.) Low switching loss Eon = 1.30 mJ (typ.) Eoff = 1.34 mJ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRGC100B120KB, IRGC100B120UB, IRGC100B60KB, IRGC100B60UB, IRGC15B120KB, IRGC15B120UB, IRGC16B120KB, IRGC16B60KB, FGH30S130P, RJP30H2A, FGA60N65SMD, FGA6065ADF, FGA6560WDF, FGH30S130P, GT40WR21, FGM603, FGT312