MBQ50T65FESC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MBQ50T65FESC  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 238 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MBQ50T65FESC

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MBQ50T65FESC даташит

 ..1. Size:1882K  magnachip
 mbq50t65fesc.pdf pdf_icon

MBQ50T65FESC

MBQ50T65FESC 650V Field Stop IGBT General Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChip s Field V = 1.85V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching E = 0.55mJ @ T = 25 C off C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt

 5.1. Size:1388K  magnachip
 mbq50t65fdsc.pdf pdf_icon

MBQ50T65FESC

MBQ50T65FDSC 650V Field Stop IGBT General Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChip s Field V = 1.95V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching Eoff = 0.37mJ @ TC = 25 C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1

Другие IGBT... FGT412, FGT612, 2PG001, IKW30N65WR5, MGD633, GT20D201, MBQ40T120FES, GT40RR21, YGW75N65F1, MBQ60T65PES, JNG25N120HS, SSG60N60N, PDMB100E6, SL40N60FL, MBQ50T65FDSC, STGW38IH120D, FGH75T65UPD