Справочник IGBT. MBQ50T65FDSC

 

MBQ50T65FDSC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MBQ50T65FDSC
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 50T65FDSC
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.2 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 238 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 293 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MBQ50T65FDSC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MBQ50T65FDSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1388K  magnachip
mbq50t65fdsc.pdfpdf_icon

MBQ50T65FDSC

MBQ50T65FDSC 650V Field Stop IGBT General Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.95V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching Eoff = 0.37mJ @ TC = 25C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1

 5.1. Size:1882K  magnachip
mbq50t65fesc.pdfpdf_icon

MBQ50T65FDSC

MBQ50T65FESC 650V Field Stop IGBTGeneral Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.85V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching E = 0.55mJ @ T = 25C off C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt

Другие IGBT... MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , IRGP4063 , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 , AOB15B65M1 , GT60M104 .

History: IKA10N60T

 

 
Back to Top

 


 
.