MBQ50T65FDSC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MBQ50T65FDSC
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 273 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 238 pF
Тип корпуса: TO247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MBQ50T65FDSC Datasheet (PDF)
mbq50t65fdsc.pdf

MBQ50T65FDSC 650V Field Stop IGBT General Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.95V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching Eoff = 0.37mJ @ TC = 25C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1
mbq50t65fesc.pdf

MBQ50T65FESC 650V Field Stop IGBTGeneral Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.85V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching E = 0.55mJ @ T = 25C off C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt
Другие IGBT... MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , IHW15N120R3 , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 , AOB15B65M1 , GT60M104 .



Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2