Справочник IGBT. MBQ50T65FDSC

 

MBQ50T65FDSC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MBQ50T65FDSC

Маркировка: 50T65FDSC

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 273

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 100

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 60

Емкость коллектора (Cc), pf: 238

Корпус: TO247

Аналог (замена) для MBQ50T65FDSC

 

 

MBQ50T65FDSC Datasheet (PDF)

1.1. mbq50t65fesc.pdf Size:1882K _update_igbt

MBQ50T65FDSC
MBQ50T65FDSC

 MBQ50T65FESC 650V Field Stop IGBT General Description Features  High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field  V = 1.85V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching  E = 0.55mJ @ T = 25°C off C series and excellent quality.  High Input Impedance  t = 80ns (typ.) @di /dt

1.2. mbq50t65fdsc.pdf Size:1388K _update_igbt

MBQ50T65FDSC
MBQ50T65FDSC

 MBQ50T65FDSC 650V Field Stop IGBT General Description Features  High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChip’s Field  V = 1.95V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching  Eoff = 0.37mJ @ TC = 25°C series and excellent quality.  High Input Impedance  t = 80ns (typ.) @di /dt = 1

 

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , 1MBH50D-060 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top