Справочник IGBT. MBQ50T65FDSC

 

MBQ50T65FDSC - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MBQ50T65FDSC
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 50T65FDSC
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 273
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 650
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.95
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.2
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
   Время нарастания типовое (tr), nS: 60
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 238
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 293
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для MBQ50T65FDSC

 

 

MBQ50T65FDSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1388K  magnachip
 mbq50t65fdsc.pdf

MBQ50T65FDSC MBQ50T65FDSC

MBQ50T65FDSC 650V Field Stop IGBT General Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.95V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching Eoff = 0.37mJ @ TC = 25C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt = 1

 5.1. Size:1882K  magnachip
 mbq50t65fesc.pdf

MBQ50T65FDSC MBQ50T65FDSC

MBQ50T65FESC 650V Field Stop IGBTGeneral Description Features High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.85V @ I = 50A CE(sat) C Stop Trench IGBT Technology, which provides high switching E = 0.55mJ @ T = 25C off C series and excellent quality. High Input Impedance t = 80ns (typ.) @di /dt

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top