Справочник IGBT. IRG4BC20KD-S

 

IRG4BC20KD-S Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IRG4BC20KD-S
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 16 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.27 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 61 pF
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для IRG4BC20KD-S

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC20KD-S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:222K  international rectifier
 irg4bc20kd-s.pdf pdf_icon

IRG4BC20KD-S

PD -91598AIRG4BC20KD-SINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC Short Circuit Rated UltraFast: Optimized forVCES = 600V high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10s @ 125C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on)

 4.1. Size:315K  international rectifier
 irg4bc20kdpbf.pdf pdf_icon

IRG4BC20KD-S

IRG4BC20KDPbFINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEUltraFast IGBTFeaturesC GE =

 4.2. Size:202K  international rectifier
 irg4bc20kd.pdf pdf_icon

IRG4BC20KD-S

PD -91599AIRG4BC20KDINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH Short Circuit RatedULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEUltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC Short Circuit Rated UltraFast: Optimized forVCES = 600V high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10s @ 125C, VGE = 15V Generation 4 IGBT design provides tighterVCE(on

 5.1. Size:141K  international rectifier
 irg4bc20k.pdf pdf_icon

IRG4BC20KD-S

D I Short Circuit RatedI T D T I T I T UltraFast IGBTFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesFeaturesC High short circuit rating optimized for motor control,VCES = 600V tsc =10s, @360V VCE (start), TJ = 125C, VGE = 15V Combines low conduction losses with highVCE(on) typ. = 2.27V switching speedG Latest generation design

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC10KD , IRG4BC10S , IRG4BC10SD , IRG4BC10UD , IRG4BC20F , IRG4BC20FD , IRG4BC20K , IRG4BC20KD , FGL60N100BNTD , IRG4BC20K-S , IRG4BC20S , IRG4BC20SD , IRG4BC20SD-S , IRG4BC20U , IRG4BC20UD , IRG4BC20W , IRG4BC30F .

History: IXYN100N120C3 | MIXA60HU1200VA

 

 
Back to Top

 


 
.