IRG4BC30K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IRG4BC30K  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 28 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.21 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 28 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 110 pF

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IRG4BC30K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IRG4BC30K даташит

 ..1. Size:140K  international rectifier
 irg4bc30k.pdf pdf_icon

IRG4BC30K

D I Short Circuit Rated I T D T I T I T UltraFast IGBT Features Features Features Features Features C High short circuit rating optimized for motor control, VCES = 600V tsc =10 s, @360V VCE (start), TJ = 125 C, VGE = 15V Combines low conduction losses with high VCE(on) typ. = 2.21V G switching speed Latest generation design

 0.1. Size:164K  international rectifier
 irg4bc30k-s.pdf pdf_icon

IRG4BC30K

D I Short Circuit Rated I T D T I T I T UltraFast IGBT Features Features Features Features Features C High short circuit rating optimized for motor control, VCES = 600V tsc =10 s, @360V VCE (start), TJ = 125 C, VGE = 15V Combines low conduction losses with high VCE(on) typ. = 2.21V switching speed G Latest generation desig

 0.2. Size:342K  international rectifier
 irg4bc30kd.pdf pdf_icon

IRG4BC30K

PD -94910A IRG4BC30KDPbF Short Circuit Rated INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE UltraFast IGBT Features C High short circuit rating optimized for motor control, VCES = 600V tsc =10 s, @360V VCE (start), TJ = 125 C, VGE = 15V Combines low conduction losses with high VCE(on) typ. = 2.21V G switching speed tighter parameter distribu

 0.3. Size:225K  international rectifier
 irg4bc30kds.pdf pdf_icon

IRG4BC30K

PD -91594C IRG4BC30KD-S Short Circuit Rated INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH UltraFast IGBT ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features Features Features Features Features High short circuit rating optimized for motor control, VCES = 600V tsc =10 s, @360V VCE (start), TJ = 125 C, VGE = 15V VCE(on) typ. = 2.21V Combines low conduction losses with high G switch

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRG4BC20S, IRG4BC20SD, IRG4BC20SD-S, IRG4BC20U, IRG4BC20UD, IRG4BC20W, IRG4BC30F, IRG4BC30FD, STGW60V60DF, IRG4BC30KD, IRG4BC30KD-S, IRG4BC30K-S, IRG4BC30S, IRG4BC30U, IRG4BC30UD, IRG4BC30W, IRG4BC30W-S