Справочник IGBT. BM63764S-VC

 

BM63764S-VC Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: BM63764S-VC
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для BM63764S-VC

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BM63764S-VC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:970K  rohm
 bm63764s-va bm63764s-vc.pdf pdf_icon

BM63764S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63764S-VA BM63764S-VC General Description Key Specifications BM63764S-VA /-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sm

 8.1. Size:970K  rohm
 bm63763s-va bm63763s-vc.pdf pdf_icon

BM63764S-VC

DatasheetInverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63763S-VA BM63763S-VC General Description Key Specifications BM63763S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT: 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF: 1.5V(Typ) wheel diodes. Sma

Другие IGBT... 7MBR75VX120-50 , BM63363S-VA , BM63363S-VC , BM63364S-VA , BM63364S-VC , BM63763S-VA , BM63763S-VC , BM63764S-VA , NGD8201N , BSM10GD120DN2 , BSM10GD120DN2_E3224 , BSM10GP120 , BSM10GP60 , BSM150GAL120DLC , BSM150GAL120DN2 , BSM150GAR120DN2 , BSM150GB120DLC .

History: BSM10GD120DN2 | IXGA24N60C | SMBH1G50US60 | 2MBI200U4B-120 | FGW75N60HD | 7MBP150VEA120-50

 

 
Back to Top

 


 
.