BM63764S-VC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: BM63764S-VC  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 15 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для BM63764S-VC

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

BM63764S-VC даташит

 ..1. Size:970K  rohm
 bm63764s-va bm63764s-vc.pdf pdf_icon

BM63764S-VC

Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63764S-VA BM63764S-VC General Description Key Specifications BM63764S-VA /-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Sm

 8.1. Size:970K  rohm
 bm63763s-va bm63763s-vc.pdf pdf_icon

BM63764S-VC

Datasheet Inverter for motor control 600V IGBT Intelligent Power Module (IPM) for high speed switching drive BM63763S-VA BM63763S-VC General Description Key Specifications BM63763S-VA/-VC is an Intelligent Power Module IGBT Collector-Emitter Voltage VCESAT 1.7V(Typ) composed of gate drivers, bootstrap diodes, IGBTs, fly FWD Forward Voltage VF 1.5V(Typ) wheel diodes. Sma

Другие IGBT... 7MBR75VX120-50, BM63363S-VA, BM63363S-VC, BM63364S-VA, BM63364S-VC, BM63763S-VA, BM63763S-VC, BM63764S-VA, YGW60N65F1A2, BSM10GD120DN2, BSM10GD120DN2_E3224, BSM10GP120, BSM10GP60, BSM150GAL120DLC, BSM150GAL120DN2, BSM150GAR120DN2, BSM150GB120DLC