CM200DY-12NF Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM200DY-12NF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 650 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 3700 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM200DY-12NF Datasheet (PDF)
cm200dy-12nf.pdf

CM200DY-12NFPowerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODNF-Series Module200 Amperes/600 VoltsTC MEASURED POINT(BASEPLATE)AF FE EG2E2 GBJN HC2E1 E2 C1 E1G1 GDescription:Powerex IGBTMOD ModulesK K Kare designed for use in switchingM NUTS LD(3 PLACES)(2 PLACES) applications. Each module co
cm200dy-12h.pdf

CM200DY-12HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module200 Amperes/600 VoltsABH E E HSC2E1 E2 C1GC KSLDescription:R - M5 THD (3 TYP.)Powerex IGBTMOD ModulesP - DIA. (2 TYP.)are designed for use in switching.110 TABJ J Japplications. Each module consistsN Nof two IGBT Transistors
cm200dy-24h.pdf

MITSUBISHI IGBT MODULESCM200DY-24HHIGH POWER SWITCHING USEINSULATED TYPEABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KMitsubishi IGBT Modules are de-RQ - M6 THDN - DIA. signed for use in switching applica-(3 TYP.)(4 TYP.)tions. Each module consists of twoTAB#110 t=0.5IGBTs in a half-bridge configurationMLwith each transistor having a re-Mverse-conne
cm200dy-28h.pdf

CM200DY-28HPowerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272Dual IGBTMODH-Series Module200 Amperes/1400 VoltsABF F GPC2E1 E2 C1JC DPDescription:KPowerex IGBTMOD ModulesRQ - M6 THDN - DIA.are designed for use in switching(3 TYP.)(4 TYP.)applications. Each module consists.110 TABM of two IGBT Transistors in a
Другие IGBT... CM1800HCB-34N , CM200DU-12F , CM200DU-12NFH , CM200DU-24F , CM200DU-24NFH , CM200DX-24S , CM200DX-34SA , CM200DY-12H , IRG4PH50UD , CM200DY-24A , CM200DY-24H , CM200DY-24NF , CM200DY-28H , CM200E3U-24F , CM200EXS-24S , CM200EXS-34SA , CM200HG-130H .
History: IRG4PC30FPBF | APTGT300DA170D3 | CM400DY-12H | NGTB30N60FWG | APTLGF140U120T | F3L100R07W2E3-B11
History: IRG4PC30FPBF | APTGT300DA170D3 | CM400DY-12H | NGTB30N60FWG | APTLGF140U120T | F3L100R07W2E3-B11



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793