CM400DY-12NF - Аналоги. Основные параметры
Наименование: CM400DY-12NF
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7300 pF
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM400DY-12NF
Технические параметры CM400DY-12NF
cm400dy-12h.pdf
MITSUBISHI IGBT MODULES CM400DY-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD signed for use in switching applica- N - DIA. (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two IGBTs in a half-bridge configuration TAB#110 t=0.5 M L with each transistor having a re- M verse-connect
cm400dy-66h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM400DY-66H HIGH POWER SWITCHING USE HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM400DY-66H IC...................................................................400A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Ind
Другие IGBT... CM30MD-12H , CM35MXA-24S , CM400C1Y-24S , CM400DU-12NFH , CM400DU-24NFH , CM400DU-5F , CM400DX-12A , CM400DY-12H , IRG7R313U , CM400DY-24A , CM400DY-24NF , CM400DY-50H , CM400DY-66H , CM400HA-24A , CM400HA-24H , CM400HA-28H , CM400HB-90H .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468







