CM400DY-12NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: CM400DY-12NF  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1130 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 7300 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для CM400DY-12NF

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

CM400DY-12NF даташит

 ..1. Size:183K  1
 cm400dy-12nf.pdf pdf_icon

CM400DY-12NF

 4.1. Size:51K  1
 cm400dy-12h.pdf pdf_icon

CM400DY-12NF

MITSUBISHI IGBT MODULES CM400DY-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE A B F F G P C2E1 E2 C1 J C D P Description K Mitsubishi IGBT Modules are de- R Q - M6 THD signed for use in switching applica- N - DIA. (3 TYP.) (4 TYP.) tions. Each module consists of two IGBTs in a half-bridge configuration TAB#110 t=0.5 M L with each transistor having a re- M verse-connect

 6.1. Size:183K  1
 cm400dy-24nf.pdf pdf_icon

CM400DY-12NF

 6.2. Size:45K  1
 cm400dy-66h.pdf pdf_icon

CM400DY-12NF

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM400DY-66H HIGH POWER SWITCHING USE HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM400DY-66H IC...................................................................400A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 2-elements in a pack APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM30MD-12H, CM35MXA-24S, CM400C1Y-24S, CM400DU-12NFH, CM400DU-24NFH, CM400DU-5F, CM400DX-12A, CM400DY-12H, SGT50T65FD1PN, CM400DY-24A, CM400DY-24NF, CM400DY-50H, CM400DY-66H, CM400HA-24A, CM400HA-24H, CM400HA-28H, CM400HB-90H