CM800HB-66H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM800HB-66H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM800HB-66H Datasheet (PDF)
cm800hb-66h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-66HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm800hb-50h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-50HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-50H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm800hc-66h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HC-66HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HC-66H IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: HGT1S7N60B3D | RCM10N40 | CM50DY-24H | 6MBI100VA-120-50 | MMG40A120B7HN | 6MBI150VB-060-50
History: HGT1S7N60B3D | RCM10N40 | CM50DY-24H | 6MBI100VA-120-50 | MMG40A120B7HN | 6MBI150VB-060-50



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437 | tip32a