CM800HB-66H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM800HB-66H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 5700 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM800HB-66H
CM800HB-66H Datasheet (PDF)
tpcm8001-h.pdf
TPCM8001-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (Ultra-High-Speed U-MOSIII) TPCM8001-H High-Efficiency DCDC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications 0.250.050.80.05 M A8 5Portable-Equipment Applications 0.200.2 Small footprint due to a small and thin package High-speed switching 0.5541 Small gate char
tpcm8003-h.pdf
TPCM8003-H NMOS (U-MOS-H) TPCM8003-H DC/DC : mm PC 0.250.050.80.05 M A 8 50.200.2 0.5541
tpcm8006.pdf
TPCM8006 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS) TPCM8006 Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Unit: mmPortable Equipment Applications 0.250.050.80.05 M A8 5 Small footprint due to a small and thin package 0.200.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 5.5 m (typ.) High forward transfer adm
tpcm8002-h.pdf
TPCM8002-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS-H) TPCM8002-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications 0.050.250.80.05 M A5Portable Equipment Applications 80.200.2 Small footprint due to a small and thin package High-speed switching 0.5541 Small gate charge: QSW = 9.3 nC
tpcm8004-h.pdf
TPCM8004-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (U-MOS V-H) TPCM8004-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Unit: mmNotebook PC Applications 0.250.050.80.05 M APortable Equipment Applications 8 50.200.2 Small footprint due to a small and thin package High-speed switching 0.5541 Small gate charge: QSW = 5.0 nC (ty
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2