CM800HB-66H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM800HB-66H
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 3300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3.8 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 7.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 12000 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 5700 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для CM800HB-66H
CM800HB-66H Datasheet (PDF)
cm800hb-66h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-66HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm800hb-50h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-50HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-50H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm800hc-66h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HC-66HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HC-66H IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction
cm800ha-66h.pdf
MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HA-66HHIGH POWER SWITCHING USEHVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HA-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC choppers, Indu
Другие IGBT... CM800DZ-34H , CM800DZB-34N , CM800E2C-66H , CM800E2Z-66H , CM800E6C-66H , CM800HA-50H , CM800HA-66H , CM800HB-50H , TGAN40N60FD , CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2