DIM1200FSS12-A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: DIM1200FSS12-A  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 200 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для DIM1200FSS12-A

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DIM1200FSS12-A даташит

 ..1. Size:418K  dynex
 dim1200fss12-a.pdf pdf_icon

DIM1200FSS12-A

DIM1200FSS12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5834-1.2 DS5834-2 October 2010 (LN27661) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V Non Punch Through Silicon IC (max) 1200A Isolated Cu Base with Al2O3 Substrates IC(PK) (max) 2400A Lead Free construction * Measured at the power busbars, not the auxiliary

 5.1. Size:421K  dynex
 dim1200fsm17-a.pdf pdf_icon

DIM1200FSS12-A

DIM1200FSM17-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5456-3.5 DS5456-4 November 2010 (LN27718) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1200A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 2400A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not th

 5.2. Size:420K  dynex
 dim1200fsm12-a.pdf pdf_icon

DIM1200FSS12-A

DIM1200FSM12-A000 Single Switch IGBT Module Replaces DS5547-3.1 DS5547-4 October 2010 (LN27662) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1200A Non Punch Through Silicon IC(PK) (max) 2400A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the power busbars, not the

 7.1. Size:454K  dynex
 dim1200asm45-ts.pdf pdf_icon

DIM1200FSS12-A

Data DIM1200ASM45-TS000 Single Switch IGBT Module Replaces DS6102-1 DS6102-2 October 2013 (LN31073) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 4500V VCE(sat) * (typ) 2.7V High Thermal Cycling Capability IC (max) 1200A High Current Density Enhanced DMOS SPT IC(PK) (max) 2400A Isolated AlSiC Base With AlN Substrates * Measured at the aux

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DIM1000XSM33-TL001, DIM1000XSM33-TS001, DIM100PHM33-F, DIM1200ASM45-TS, DIM1200ASM45-TS001, DIM1200ESM33-F, DIM1200FSM12-A, DIM1200FSM17-A, RJP63F3DPP-M0, DIM1500ASM33-TL001, DIM1500ASM33-TS001, DIM1500ESM33-TL, DIM1500ESM33-TS, DIM1600ECM17-A, DIM1600FSM12-A, DIM1600FSM17-A, DIM1600FSS12-A