Справочник IGBT. MG06100S-BR1MM

 

MG06100S-BR1MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG06100S-BR1MM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 625 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 520 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 230 nC
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG06100S-BR1MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1801K  littelfuse
 mg06100s-br1mm.pdf pdf_icon

MG06100S-BR1MM

Power Module600V 100A IGBT ModuleRoHSMG06100S-BR1MMFeatures Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness With Fast Free-Wheeling High Short Circuit DiodesCapabilityApplications Inverter SMPS and UPS Converter Induction Heating WelderAgency ApprovalsAGENCY AGENCY FILE NUMBERE71639Module Characteristics

 9.1. Size:1348K  littelfuse
 mg06150s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06100S-BR1MM

Power Module600V 150A IGBT ModuleRoHSMG06150S-BN4MMFeatures High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplicationsAgency Approvals High frequency Motion/se

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.