Справочник IGBT. MG06150S-BN4MM

 

MG06150S-BN4MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG06150S-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 1600 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG06150S-BN4MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG06150S-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1348K  littelfuse
 mg06150s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06150S-BN4MM

Power Module600V 150A IGBT ModuleRoHSMG06150S-BN4MMFeatures High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching lossestemperature coefficient Fast switching and short tail currentApplicationsAgency Approvals High frequency Motion/se

 9.1. Size:1801K  littelfuse
 mg06100s-br1mm.pdf pdf_icon

MG06150S-BN4MM

Power Module600V 100A IGBT ModuleRoHSMG06100S-BR1MMFeatures Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness With Fast Free-Wheeling High Short Circuit DiodesCapabilityApplications Inverter SMPS and UPS Converter Induction Heating WelderAgency ApprovalsAGENCY AGENCY FILE NUMBERE71639Module Characteristics

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXGT40N60B | 2MBI200VH-120-50 | APT50GP60JDQ2 | 2MBI150PC-140

 

 
Back to Top

 


 
.