MG06150S-BN4MM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG06150S-BN4MM  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 225 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.45 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 30 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MG06150S-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG06150S-BN4MM даташит

 ..1. Size:1348K  littelfuse
 mg06150s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06150S-BN4MM

Power Module 600V 150A IGBT Module RoHS MG06150S-BN4MM Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications Agency Approvals High frequency Motion/se

 9.1. Size:1801K  littelfuse
 mg06100s-br1mm.pdf pdf_icon

MG06150S-BN4MM

Power Module 600V 100A IGBT Module RoHS MG06100S-BR1MM Features Ultra Low Loss Positive Temperature Coefficient High Ruggedness With Fast Free-Wheeling High Short Circuit Diodes Capability Applications Inverter SMPS and UPS Converter Induction Heating Welder Agency Approvals AGENCY AGENCY FILE NUMBER E71639 Module Characteristics

Другие IGBT... DIM800FSS12-A, DIM800NSM33-F, DIM800XSM33-F, DIM800XSM45-TS, DIM800XSM45-TS001, MBN400GR12A, MBN600GR12A, MG06100S-BR1MM, IKW40N120H3, MG06200S-BN4MM, MG06300D-BN4MM, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MG100Q2YS40, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51