MG06400D-BN1MM - аналоги и описание IGBT

 

MG06400D-BN1MM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: MG06400D-BN1MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 460 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 65 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1800 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG06400D-BN1MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры MG06400D-BN1MM

 ..1. Size:2234K  littelfuse
 mg06400d-bn1mm.pdf pdf_icon

MG06400D-BN1MM

Power Module 600V IGBT Family RoHS MG06400D-BN1MM Series 400A Dual IGBT Features Ultra low loss Positive temperature coefficient High ruggedness High short circuit capability Applications Motor drives SMPS and UPS Inverter Welder Agency Approvals Converter Induction Heating AGENCY AGENCY FILE NUMBER E71639 Module Characteristics (T

 3.1. Size:1752K  littelfuse
 mg06400d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06400D-BN1MM

Power Module 600V IGBT Family RoHS MG06400D-BN4MM Series 400A Dual IGBT Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications Motor drives SMPS and UP

Другие IGBT... DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , MG06300D-BN4MM , RJP63K2DPP-M0 , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A , MG12100D-BA1MM .

History: CM100DU-24F | 7MBR75VP060-50 | CM100RL-12NF

 

 
Back to Top

 


 
.