MG600Q1US51 - аналоги и описание IGBT

 

MG600Q1US51 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG600Q1US51

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG600Q1US51

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG600Q1US51 даташит

 ..1. Size:259K  toshiba
mg600q1us51.pdfpdf_icon

MG600Q1US51

MG600Q1US51 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG600Q1US51 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max) f @Inductive load Low saturation voltage V = 3.6V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in onepackage. The electrodes are isolated from case

 9.1. Size:443K  macmic
mmg600k120u6hn.pdfpdf_icon

MG600Q1US51

MMG600K120U6HN 1200V 600A IGBT Module June 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High short circuit capability,self limiting short circuit current IGBT CHIP(T4 Fast Trench+Field Stop technology) VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Low switching los

 9.2. Size:1175K  macmic
mmg600wb065tlb6en.pdfpdf_icon

MG600Q1US51

MMG600WB065TLB6EN 650V 600A 3-Level IGBT Module August 2016 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES 650V IGBT3 CHIP(Trench+Field Stop technology) Low saturation voltage and positive temperature coefficient Low switching losses and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense included APPLICATIONS 3-Level appl

 9.3. Size:1323K  macmic
mmg600wb065b6en.pdfpdf_icon

MG600Q1US51

MMG600WB065B6EN 650V 600A IGBT Module March 2017 Preliminary RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT3 CHIP(Trench+Field Stop technology) High short circuit capability,self limiting short circuit current VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery Temperature sense incl

Другие IGBT... MG50J1BS11 , MG50J2YS50 , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , BT60T60ANFK , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 .

History: MG75Q1BS11 | CT25ASJ-8

 

 

 

 

↑ Back to Top
.